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NTB5404N, NTP5404N, NVB5404N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
12000
V DS = 0 V V GS = 0 V
T J = 25 ° C
12
36
10000
C iss
10
QT
30
8000
6000
C rss
8
6
V DS
V GS
24
18
4000
C iss
4
Q GS
Q GD
12
C oss
2000
0
10
5 0
V GS
5
V DS
C rss
10
15
20
25
30
35
40
2
0
0
20
I D = 40 A
T J = 25 ° C
40 60 80 100 120
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
6
0
140
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? To ? Source and
Drain ? To ? Source Voltage vs. Total Charge
1000
V DS = 32 V
I D = 40 A
V GS = 10 V
t d(off)
t f
t r
40
35
30
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
10
t d(on)
25
20
15
10
5
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9 1
1.1
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
1000
100
10
1
0.1
0.01
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
10 m S
100 m S
1 mS
10 mS
dc
0.001
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
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